GM71C17403CJ6, Hynix Semiconductor, CMOS DRAM 4M x 4 бит Описание: GM71C17403CJ6 — это динамическая оперативная память (CMOS DRAM), произведенная компанией Hynix Semiconductor. Она организована в формате 4,194,304 слова по 4 бита, что обеспечивает высокую плотность и производительность. DRAM работает на напряжении 5 В с допуском ±10% и подходит для использования в высокопроизводительных логических системах, таких как Schottky TTL. Технические характеристики: Организация памяти: 4M x 4 бита Напряжение питания: 5 В ±10% Тип корпуса: SOJ (24/26 выводов) Время доступа: 60 нс Совместимые устройства: Используется в различных электронных системах и устройствах, требующих высокопроизводительной оперативной памяти. SEO текст: Оригинальная CMOS DRAM GM71C17403CJ6 от Hynix Semiconductor — это надежная память с высокой плотностью и производительностью. Организация в формате 4M x 4 бита обеспечивает эффективную работу в системах с высоким уровнем обработки данных. Купить GM71C17403CJ6 можно для замены или модернизации памяти в устройствах, требующих стабильной работы и быстрого доступа к данным. Использование оригинальных компонентов продлевает срок службы оборудования и повышает его функциональность.